芯片高温老化寿命试验（HTOL），芯片可靠性验证：HTOL、HAST、HTSL、TC测试

  芯片高温老化寿命试验（HTOL）

高温老化寿命试验(HTOL)
参考标准：JESD22-A108；

测试条件：

For devices containing NVM, endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
Grade 0: +150℃ Ta for 1000 hours.
Grade 1: +125℃ Ta for 1000 hours.
Grade 2: +105℃ Ta for 1000 hours.
Grade 3: + 85℃ Ta for 1000 hours.
Vcc (max) at which dc and ac parametric are guaranteed. Thermal shut-down shall not occur during this test.
TEST before and after HTOL at room, hot, and cold temperature.

       广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）是原信息产业部电子602计量站，经过50余年的发展，现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构，专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等技术服务，在计量校准、可靠性与环境试验、元器件筛选与失效分析检测、车规元器件认证测试、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内*水平。

GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力：

芯片可靠性验证 ( RA)：

芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；
高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ；
温度循环试验(TC), JESD22-A104 ；
温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ；
高加速应力试验(HTSL / HAST), JESD22-A110；
高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108；

芯片静电测试 ( ESD)：

人体放电模式测试(HBM), JS001 ；
元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ；
闩锁测试(LU), JESD78 ；
TLP；Surge / EOS / EFT；
芯片IC失效分析 ( FA)：
光学检查(VI/OM) ；
扫描电镜检查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH ；Micro-probe;
聚焦离子束微观分析(FIB)；

GRGT团队技术能力：

•集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控
•集成电路竞品分析、工艺分析
•芯片级失效分析方案turnkey
•芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计
•静电防护失效整改技术建议
•集成电路可靠性验证
•材料分析技术支持与方案制定
半导体材料分析手法

芯片测试地点：广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。